UTCB |

Dendrite Growth Processes of Silicon and Germanium from Highly Undercooled Melts

Tipul înregistrării:	Text tipărit: analitic (parte componentă)
Autor:	Aoyama, Toru
Autor alternativ:	Takamura, Y.
Autor alternativ:	Kuribayashi, K.
Responsabilitate:	T. Aoyama, Y. Takamura, K. Kuribayashi
Note:	Procesele de creştere dendritică ale siliciului şi germaniului din topituri puternic subrăcite
Limba:	Engleză
Subiect:	cristal de semiconductor
Subiect:	semiconductor
Subiect:	semiconductor de Si şi Ge
Subiect:	subrăcire înaltă de semiconductori
Note conţinut (cuprins):	Procesele de creştere dendritică ale siliciului şi germaniului din topituri puternic subrăcite

LDR:00618naa# 2200109## 001 158716
009 ubfixit050.037 Dendrite Growth Processes of Silicon and Germanium from Highly Undercooled Melts
100 $a 20230119u########m##u1rumy50######ba
101 $a eng
200 $a Dendrite Growth Processes of Silicon and Germanium from Highly Undercooled Melts $f T. Aoyama, Y. Takamura, K. Kuribayashi
300 $a Procesele de creştere dendritică ale siliciului şi germaniului din topituri puternic subrăcite
327 $a Procesele de creştere dendritică ale siliciului şi germaniului din topituri puternic subrăcite
606 $2 UTCB $3 87181 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a cristal de semiconductor
606 $2 UTCB $3 105268 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a semiconductor
606 $2 UTCB $3 105269 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a semiconductor de Si şi Ge
606 $2 UTCB $3 107860 $7 ba0yba0a $8 rumrum $a subrăcire înaltă de semiconductori
700 $3 2388 $a Aoyama $b Toru
701 $3 71248 $a Takamura $b Y.
701 $3 39915 $a Kuribayashi $b K.
801 0 $a RO $b UTCB $c 20230118 $2 unimarc

Evaluări

Exportă

Filiala de unde se ridică